あらまし
5Gを実現する化合物ミリ波回路技術
新庄 真太郎 中谷 圭吾 神岡 純 山口 裕太郎 幸丸 竜太
Vol.101 No.11pp.1130-1134
発行日:2018/11/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
種別:特集 間もなく離陸する5G──新たな通信社会は何が変わるのか？──
専門分野:
キーワード:
ミリ波回路, GaN, GaAs, 高効率, 高集積,
本文:PDF(973.4KB)>>
あらまし:
5Gにおいて，ミリ波などの高周波数帯を利用する場合，多素子アンテナ（Massive Antenna）を用いて指向性が高いビームを形成することで伝搬損を補うとともに，Massive Multiple-Input and Multiple-Output（MIMO）技術を組み合わせて空間多重数を上げることにより周波数利用効率を向上するアンテナ装置が用いられる．本装置の実現に向けて，特に送信出力増幅器を含むミリ波などの高周波回路においては，高効率化，小形・高集積化が課題となる．本稿では，GaN等の化合物半導体による高周波回路の高効率及び小形・高集積化に向けた開発事例を概説する．
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