あらまし
シリコンフォトニクスを用いた1.6Tbit/sインタコネクション集積チップの開発
Vol.105 No.11pp.1291-1298
発行日:2022/11/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
種別:特集 シリコンフォトニクスを用いた光通信素子の研究開発最新動向
専門分野:
キーワード:
シリコンフォトニクス, 電界吸収形光変調器, 導波路形Ge受光器, 波長分割多重,
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あらまし:
データセンターで用いられる光トランシーバは，2030年頃までに1.6Tbit/sになると予測されている．また，大容量というだけでなくLSI直近に実装するため小形化・低消費電力化も同時に求められる．シリコンフォトニクス技術を用いて1.6Tbit/sの超小形・大容量波長分割多重チップの要素素子である112Gbit/s Ge電界吸収形光変調器・導波路形Ge受光器及びこれらを動作させる最先端SiGe-BiCMOSプロセスを用いたドライバ・TIA，更に，16波長合分波器を開発し，基本動作を実証した．
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