GaAs系InAs量子ドット組成混合を用いた集積レーザの要素技術開発とシリコン光デバイス

宇髙　勝之; 伊藤　大誠; ヘインサル　シーム; 清水　叶; 松島　裕一; 石川　浩

あらまし

宇髙　勝之伊藤　大誠ヘインサル　シーム清水　叶松島　裕一石川　浩

Vol.105 No.11pp.1375-1382

発行日:2022/11/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:特集　シリコンフォトニクスを用いた光通信素子の研究開発最新動向

専門分野:

キーワード:
量子ドット組成混合, 量子ドット集積レーザ, 電界吸収形変調器, シリコン光スイッチ, ハイブリッド集積,

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あらまし:
データセンター用低消費電力高機能光源として，電界吸収形変調器をモノリシックに集積したGaAs系量子ドット（QD）波長可変レーザ実現のための要素技術を開発した．そのために基板上の任意の位置に異なる禁制帯幅エネルギーを有する領域組成変調QD組成混合（QDI）技術を開発し，低損失導波路や反射器用回折格子，広帯域電界吸収形変調器のQDレーザへの集積化の可能性を検討した．更に，シリコン光デバイス応用として，偏光無依存高速光スイッチやシリコン導波路／半導体レーザとのハイブリッド集積を実現した．

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