放射線環境下での計測技術を支える半導体デバイスとその応用

増永　昌弘; 桑名　諒

あらまし

増永　昌弘桑名　諒

Vol.105 No.4pp.294-298

発行日:2022/04/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集　極限環境の計測を支える回路とシステム技術

専門分野:

キーワード:
原子力発電所, 過酷環境, 放射線, 計測器, 炭化けい素, 集積デバイス,

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あらまし:
本稿では，原子力発電所に取り付ける計測器の放射線耐性の向上を目的に，炭化けい素（SiC）を用いた集積デバイスとその応用事例について述べる．SiCはワイドバンドギャップ半導体の一つで，けい素を用いた従来デバイスと比較し，放射線による欠陥が誘起され難い．筆者らは，このSiCの優れた特性に着目し，相補形MOS（CMOS）を用いた集積デバイスを開発した．開発した集積デバイスを計測器の一つである圧力伝送器へ実装したところ，従来型と比較して放射線耐性が約100倍改善された．これは，原子力発電所の想定し得る過酷な放射線環境に耐えるレベルである．

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