異種材料集積を用いた光デバイスの最新技術動向

八木　英樹; 西山　伸彦

あらまし

八木　英樹西山　伸彦

Vol.106 No.6pp.479-484

発行日:2023/06/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集　Beyond 5Gを支えるフォトニクス技術とその展望

専門分野:

キーワード:
Ⅲ-V族化合物半導体, Siフォトニクス, InP系能動領域／Si導波路ハイブリッド集積, 波長可変レーザ,

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あらまし:
Beyond 5Gといったワイヤレス通信技術の進展により通信量が増大し，2030年代には一つのトランシーバに要求されるデータレートが10Tbit/sを超えると予想されている．一方，光通信を支えてきた単一材料光デバイスにおいては，10Tbit/s級のデータ伝送に向けた広帯域化と低消費電力化の両立に限界が見え始めており，技術的なブレークスルーが求められている．光通信に広く利用されてきたⅢ-V族化合物半導体とシリコンフォトニクスのそれぞれの利点を組み合わせた異種材料集積光デバイスは，その有望なアプローチの一つとして期待されている．本稿では異種材料集積技術を紹介するとともに，それを利用した波長可変レーザについて報告する．

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