三次元フラッシュメモリ技術とニューラルネットワーク応用

三谷　祐一郎

あらまし

三谷　祐一郎

Vol.107 No.4pp.296-303

発行日:2024/04/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集　AIチップに向けた不揮発性メモリ技術とその展望

専門分野:

キーワード:
三次元フラッシュメモリ, メモリセル, 高積層化技術, ニューラルネットワーク,

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あらまし:
超情報化社会の「データ記録」を担っている三次元フラッシュメモリは，300層を超える高層化も開発されるなど縦に高積層化することで更なる大容量化が進められている．しかし，積層数を増やし続けるためには多くの課題があり，それを解決する新技術が必要不可欠である．更に，三次元フラッシュメモリの特異なアーキテクチャと大容量であることを利用したニューロモルフィックコンピューティング応用など，単なる“記録媒体”だけではない新たな展開も注目されている．本稿では，このような大容量三次元フラッシュメモリのセル技術とそれを用いたニューラルネットワーク応用の動向を述べる．

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