強誘電体メモリの特徴と技術の進展

酒井　滋樹; 高橋　光恵

あらまし

強誘電体メモリの特徴と技術の進展

酒井　滋樹高橋　光恵

Vol.107 No.4pp.319-326

発行日:2024/04/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集　AIチップに向けた不揮発性メモリ技術とその展望

専門分野:

キーワード:
強誘電体メモリ, 電気分極, 強誘電体トラジスタ, FeFET, ドメイン,

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あらまし:
近年新たな強誘電体が種々現れ強誘電体の前途は明るい．FeRAMとFeFETへの要求仕様は正反対であることを紹介した．FeFETメモリのデバイス電気特性データは2000年以降蓄積されてきた．パルス書込みとその後の読出しの実験は，メモリの基本である．分極スイッチ時間が対数スケールで遅い時間まで広がるが，この動的動作のための理論がなかった．強誘電体膜が多結晶であることを踏まえ，多結晶を正面から扱うモデルを提唱し，実験との比較を通して優れた結果を得た．結果の一例を紹介した．AIチップ向けの2入力1出力積和演算回路をFeFET集積技術で作り正しく積和演算できていることを検証した．

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