半導体中の深い不純物準位の性質とその測定[完]-3.Si,GaAs,GaP中の不純物準位とデバイス特性-
生駒俊明 奥村次徳
Vol.64 No.3 pp.279-286
Publication Date:1981/03/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
Type of Manuscript:Lecture Series
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