あらまし

新しい量子力学計算により、正孔移動度の基盤面方位、電流方向、電圧、不純物濃度、ひずみの依存性を予測－CMOS設計用に移動度の早見図をも提供－

電子情報通信学会 

Vol.87 No.11pp.991-992

発行日:2004/11/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:ニュース解説

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