あらまし
マルチゲートFinFETのシミュレーション
Vol.91 No.1pp.20-24
発行日:2008/01/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
種別:小特集 32nm世代VLSIを担うMore Moore技術──三次元ゲートMOSFET──
専門分野:
キーワード:
FinFET SOI, シミュレーション手法, 移動度モデル, 回路シミュレーション,
本文:PDF(590.9KB)>>
あらまし:
本稿では，三次元構造微細SOI MOSFETのシミュレーション技術の現状を整理するとともに，解析例を紹介する．物理学的に厳密な議論を行うには，量子効果を第一原理的に導入せざるを得ない．しかし回路設計上必要な情報を抽出する目的では，第一原理的な手法が常に必要なわけではなく，キャリヤ移動度のような重要な特性パラメータのモデル構築を基に，従来の半古典的解析手法の拡張でかなりの特性解析を実行可能である．今後は，回路シミュレーションで取り扱えるように，従来の物理モデルを入れ替える努力が必要である．
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