あらまし

最先端FinFETプロセス・集積化技術

稲葉　聡 

Vol.91 No.1pp.25-29

発行日:2008/01/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集　32nm世代VLSIを担うMore Moore技術──三次元ゲートMOSFET──

専門分野:

キーワード:
FinFET, CMOS, FD-SOI, 三次元構造, SRAM, LER, LWR, 寄生抵抗, 特性ばらつき, 

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あらまし:
シリコンLSIの世界で，“More Moore”，“More than Moore”という概念が言い出されて既に数年が過ぎた．予想されていたこととはいえ，従来のスケーリング則に基づいたCMOSデバイスの微細化は確実にその限界に近づいており，できる限りCMOS技術を延命したいという立場から様々な取組みが行われている．
　本稿では，従来の平面形MOSFETの代りにMOSFET技術を延命できる可能性のある三次元MOSFET，特にFinFETのデバイスインテグレーション技術について解説する．

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