四端子FinFETデバイス技術──課題と対策及び展望──

昌原　明植

あらまし

昌原　明植

Vol.91 No.1pp.30-35

発行日:2008/01/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集　32nm世代VLSIを担うMore Moore技術──三次元ゲートMOSFET──

専門分野:

キーワード:
四端子FinFET, ダブルゲート分離, V_th制御, 非対称ゲート酸化膜厚,

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あらまし:
32nm技術ノード以降のVLSIにとって最大の問題は，短チャネル効果に起因した消費電力の増大である．独立ダブルゲートを有する四端子FinFETは，極めて高い短チャネル効果抑制能に加え，素子作製後にしきい電圧（V_th）を自在に制御可能という優れた特徴から，この問題を解決し得る素子として近年注目されている．本稿では，四端子FinFET実用に向け解決すべき課題と対策に関して，我々がこれまで取り組んできた研究を中心に解説する．具体的には，ダブルゲートの分離技術，性能向上に有効な左右のゲート絶縁膜厚の非対称化技術に関して解説する．また，四端子FinFETを用いたCMOSインバータ回路の特性結果を示すとともに，四端子FinFET回路の応用に関する今後の展開を述べる．

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