あらまし
XMOSトランジスタの回路応用技術
Vol.91 No.1pp.36-40
発行日:2008/01/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
種別:小特集 32nm世代VLSIを担うMore Moore技術──三次元ゲートMOSFET──
専門分野:
キーワード:
ダブルゲート, しきい電圧制御, ボディバイアス, FPGA,
本文:PDF(631.8KB)>>
あらまし:
四端子のダブルゲートMOSであるXMOSトランジスタは，第2のゲート端子によって，回路技術上の自由度を拡大してくれる．本稿では，第2ゲートを活用したXMOSトランジスタの回路応用技術について，筆者らの試みを中心に解説する．前半では，三端子と四端子の簡単な比較を行った上で，XDXMOS（Cross Drive XMOS）という回路技術について紹介する．続いて，第2ゲートを用いたしきい電圧制御の応用例として，しきい電圧を細粒度にプログラム可能として低消費電力化を目指すFlex Power FPGAについて紹介する．最後に，現状技術・課題（例えば，SPICEモデルの必要性）を整理し，今後の展望を述べる．
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