あらまし

ポストスケーリング時代のCMOSデバイス技術

高木　信一 

Vol.92 No.1pp.43-48

発行日:2009/01/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:解説

専門分野:

キーワード:
CMOS, スケーリング, チャネル, 電流駆動力, 

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あらまし:
Si CMOSの性能向上は，90nm世代以降，Siの材料的限界や微細化限界の顕在化により，スケーリングに代わって，ひずみSi技術やHigh-k/メタルゲート技術など，テクノロジーブースタによりけん引されるようになった．今後は更に，Geや-族化合物半導体などのSi以外のチャネル材料の導入が検討されている．このような異種材料をSi基板上に集積させる“Heterogeneous Integration”技術は，“Everything on a Chip”の創製につながり，新たなシステムソリューションとしての展開が期待される．

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