あらまし

SiGe HBT及びBiCMOS技術

川中 雅史 宮崎 紳一 松岡 昭夫 齋藤 由理恵 

Vol.92 No.4pp.295-300

発行日:2009/04/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:解説

専門分野:

キーワード:
HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)BiCMOSMMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)

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あらまし:
アナログ応用の観点から,CMOSに比べて低消費電力性,耐圧性,低雑音性に優れ,GaAsに代表される化合物半導体に対して集積性で優位性を持っているSiGeデバイスに関して,これまで多くの研究開発,製品開発が行われている.本稿では,SiGe HBTとBiCMOSのプロセスデバイス技術,アプリケーション技術と,今後の展望について紹介する.

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