あらまし

SiGe HBT及びBiCMOS技術

川中　雅史 宮崎　紳一 松岡　昭夫 齋藤　由理恵 

Vol.92 No.4pp.295-300

発行日:2009/04/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:解説

専門分野:

キーワード:
HBT（Heterojunction Bipolar Transistor）, BiCMOS, MMIC（Monolithic Microwave Integrated Circuit）, 

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あらまし:
アナログ応用の観点から，CMOSに比べて低消費電力性，耐圧性，低雑音性に優れ，GaAsに代表される化合物半導体に対して集積性で優位性を持っているSiGeデバイスに関して，これまで多くの研究開発，製品開発が行われている．本稿では，SiGe HBTとBiCMOSのプロセスデバイス技術，アプリケーション技術と，今後の展望について紹介する．

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