MOSトランジスタのスケーリングに伴う特性ばらつき
Vol.92 No.6pp.416-426
発行日:2009/06/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
種別:小特集 CMOSデバイスの微細化に伴う特性ばらつきの増大とその対策
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あらまし:
MOSトランジスタはゲート長が100nm以下にまで微細化され,特性ばらつきの問題が顕在化してきた.設計上同じサイズのトランジスタであっても,製造されたトランジスタごとに特性が異なり,その結果,回路が正常に動作しないなどの現象が引き起こされている.特性ばらつきの原因は多岐にわたっており,定量的には未解明の部分が多い.本稿では,特性ばらつきの現状を紹介するとともに,その原因と対策について最新の動向を紹介する.