Si プラットホーム上の新材料チャネルCMOS

高木　信一; 竹中　充

あらまし

高木　信一竹中　充

Vol.93 No.11pp.904-908

発行日:2010/11/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:特集　エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術──2020年を見据えて──

専門分野:

キーワード:
CMOS, Ⅲ-V族化合物半導体, Ge, チャネル, 移動度,

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あらまし:
Si CMOS の性能飽和をブレークスルーする可能性がある技術として近年注目されている，Ⅲ-V 族化合物半導体やGeをチャネルとするMOS トランジスタ技術について紹介する．これらの素子は，Si プラットホームを最大限活用するために，Si 基板上に形成する必要があり，技術的課題は，Si 基板上へ高品質のⅢ-V 族半導体薄膜やGe 薄膜を形成する技術，MOS 界面制御技術，移動度向上技術を含め，多岐にわたっている．本稿では，これらの課題を解決する可能性のある手法として，選択成長技術，張合せ技術，MOS界面制御技術，面方位エンジニアリングなどについて述べる．

あらまし

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