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ミリ波デバイス技術の新展開

丸橋 建一 

Vol.93 No.2pp.100-105

発行日:2010/02/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集 最新のミリ波技術の動向

専門分野:

キーワード:
ミリ波無線通信化合物半導体 GaN CMOS

Free本文:PDF(2.4MB)

あらまし:
ミリ波応用システムの利用は着実に広がっており,なかでもディジタル機器やパソコン用無線ネットワークを実現する60GHz 帯ギガビット無線インタフェースには,大きな期待がかけられている.ミリ波デバイスとしては,化合物半導体では従来のGaAs デバイスやInP デバイスに加えGaN デバイスが注目されている.更には微細化により高周波化の進展が著しいシリコンデバイスが利用可能な状況に至っている.高出力電力密度が達成可能なGaN デバイスや,高集積化と量産時の低コスト化が可能なCMOS デバイスを中心に,ミリ波デバイスの現状と課題について述べる.

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