あらまし
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国際半導体技術ロードマップから見たCMOS 技術動向
Vol.95 No.11pp.954-959
発行日:2012/11/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
種別:特集 世界的な競争領域にある最先端デバイス技術
専門分野:
キーワード:
半導体集積回路, CMOS 技術, ITRS（国際半導体技術ロードマップ）,
Free本文:PDF(1.4MB)
あらまし:
ITRS（国際半導体技術ロードマップ）は，世界5 極（欧州，日本，韓国，台湾，米国）の半導体工業会（ESIA，JEITA，KSIA，TSIA，SIA）がスポンサーとなって，将来15 年にわたる半導体技術動向とそれを実現するための技術課題をそれぞれの分野の専門家がまとめたものである．ITRS の2011 年版（最新版）から見たCMOS 技術のトレンドを紹介する．素子寸法の微細化を続けるためにリソグラフィーをはじめとするプロセス技術の進展が必要である．また，微細化だけでなく，多様化（More than Moore）も進む．シリコンCMOS 技術を超えて新しい原理の素子の提案と研究開発が活発に行われている．
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