アモルファスInGaZnO<sub>4</sub>薄膜トランジスタのトップゲート効果解析

竹知　和重; 岩松　新之輔

あらまし

アモルファスInGaZnO₄薄膜トランジスタのトップゲート効果解析

竹知　和重岩松　新之輔

Vol.97 No.3pp.193-197

発行日:2014/03/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集　酸化物エレクトロニクスの進展と将来展望

専門分野:

キーワード:
酸化物半導体, InGaZnO, 薄膜トランジスタ, トップゲート効果, アモルファスシリコン,

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あらまし:
ボトムゲート電極とトップゲート電極を有するデュアルゲート構造TFTにおいて，ボトムゲート特性のトップゲート電圧依存性（トップゲート効果）は，TFT上部に発生する予期せぬ電荷（LCDの場合，液晶／配向膜界面での電気二重層）に対する特性安定性の目安にもなり，その解析は実用面・TFTデバイス物理理解の両面で重要である．デュアルゲート構造を有するアモルファスInGaZnO₄（a-InGaZnO）TFTを作製し，そのトップゲート効果を解析した．従来のアモルファスシリコンTFTと比較しながら，a-InGaZnO TFTならではの特徴的な振舞いについて考察する．

あらまし

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