あらまし
半導体ディジタルロゼッタストーン
Vol.98 No.12pp.1057-1062
発行日:2015/12/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
種別:小特集 超長期保存メモリ・システムへの挑戦
専門分野:
キーワード:
ロゼッタストーン, 近接場結合, 半導体メモリ, マスクROM,
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あらまし:
現代文明はディジタル技術の基盤の上に築かれている．しかし，膨大なディジタルデータを1,000年規模の超長期スパンで保存する手法はいまだ確立されていない．半導体ディジタルロゼッタストーンは，半導体メモリを密封して外部からの浸食を防ぎ，近接場結合を用いて無線給電・データ読出しをすることで超長期保存を可能にする提案である．本稿ではデバイス・回路技術を解説し，半導体産業のエコシステムを活用した経済性と官学主導による研究推進の重要性について所見を述べる．
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