あらまし

先端CMOSデバイス・プロセス技術の現状と展望

池田　圭司 入沢　寿史 手塚　勉 

Vol.98 No.4pp.300-306

発行日:2015/04/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:解説

専門分野:

キーワード:
低消費電力, CMOS集積回路, MOSFET, Ge, InGaAs, Si, 移動度, モノリシック三次元集積回路, 

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あらまし:
IT端末及びその基幹となるネットワーク，サーバ・ストレージ機器群の進化に伴い，高性能化と低消費電力化を両立的に達成する集積回路技術の重要性が高まっている．本稿では，先端CMOSデバイス・プロセス技術の中核を担うと期待されている高移動度材料（Ge, InGaAs）をCMOS集積回路に適用するための基盤技術開発について，国内外の研究開発動向を筆者らの研究を中心に紹介する．更に微細化限界に対する別のアプローチの方法として注目される，モノリシックな三次元積層集積化の最近の進展についても紹介する．

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