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Vol.63 No.4 pp.344-353 2.3 半導体薄膜 今井哲二 石井康博 牛尾真太郎 | あらまし | 本文:PDF(669.2KB) |
Vol.60 No.1 pp.27-29 2.半導体材料-2.2 化合物半導体・[部品材料の20年間の進歩・発展-7]- 今井哲二 佐久田昌明 | あらまし | 本文:PDF(164.7KB) |
Vol.47 No.6 pp.902-910 ゲルマニウムエサキダイオードの経時変化 今井哲二 佐藤秀吉 宮嶋多喜男 | あらまし | 本文:PDF(610.4KB) |
Vol.47 No.4 pp.559-574 エサキダイオードに関する特許 今井哲二 別所照彦 新妻英雄 | あらまし | 本文:PDF(1.1MB) |
Vol.47 No.4 pp.419-430 エサキダイオードに関連した特異な物理現象 今井哲二 | あらまし | 本文:PDF(755.3KB) |
Vol.44 No.12 pp.1941-1953 真空管用冷陰極の研究動向 今井哲二 | あらまし | 本文:PDF(1021.3KB) |
Vol.40 No.12 pp.1291-1297 陰極中間層抵抗の成長と真空管特性の劣化 今井哲二 宮嶋多喜男 | あらまし | 本文:PDF(533.6KB) |