あらまし

半導体中の深い不純物準位の性質とその測定［完］－3．Si，GaAs，GaP中の不純物準位とデバイス特性－

生駒俊明 奥村次徳 

Vol.64 No.3pp.279-286

発行日:1981/03/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:講座

専門分野:

キーワード:
---

本文:PDF(481.7KB)>>

記事を購入

あらまし:

ログイン

 > 

パスワードを忘れた場合は

メニュー

Online ISSN:2188-2355

…ジュニア会員・学生員に
　お勧めの記事