著者検索結果:奥村次徳(5件)

1~5件
Vol.64 No.3 pp.279-286  
半導体中の深い不純物準位の性質とその測定[完]-3.Si,GaAs,GaP中の不純物準位とデバイス特性-
生駒俊明 奥村次徳 
あらまし | 本文:PDF(481.7KB)

Vol.64 No.2 pp.195-202  
半導体中の深い不純物準位の性質とその測定-2.深い不純物準位の動的パラメータの測定法-
生駒俊明 奥村次徳 
あらまし | 本文:PDF(438.5KB)

Vol.64 No.1 pp.59-66  
半導体中の深い不純物準位の性質とその測定-1.半導体中の深い不純物準位の電気的・光学的性質-
生駒俊明 奥村次徳 
あらまし | 本文:PDF(464.7KB)

Vol.62 No.3 pp.339-340  
Device Research Conference
生駒俊明 奥村次徳 
あらまし | 本文:PDF(149.7KB)

Vol.62 No.2 pp.237-238  
Electronic Material Conference
生駒俊明 奥村次徳 
あらまし | 本文:PDF(152.3KB)

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Online ISSN:2188-2355