著者検索結果：奥村次徳(5件)
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| Vol.64 No.3 pp.279-286 半導体中の深い不純物準位の性質とその測定［完］－3．Si，GaAs，GaP中の不純物準位とデバイス特性－ 生駒俊明 奥村次徳 | あらまし | 本文:PDF(481.7KB) |
| Vol.64 No.2 pp.195-202 半導体中の深い不純物準位の性質とその測定－2．深い不純物準位の動的パラメータの測定法－ 生駒俊明 奥村次徳 | あらまし | 本文:PDF(438.5KB) |
| Vol.64 No.1 pp.59-66 半導体中の深い不純物準位の性質とその測定－1．半導体中の深い不純物準位の電気的・光学的性質－ 生駒俊明 奥村次徳 | あらまし | 本文:PDF(464.7KB) |
| Vol.62 No.3 pp.339-340 Device Research Conference 生駒俊明 奥村次徳 | あらまし | 本文:PDF(149.7KB) |
| Vol.62 No.2 pp.237-238 Electronic Material Conference 生駒俊明 奥村次徳 | あらまし | 本文:PDF(152.3KB) |
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Online ISSN:2188-2355
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