あらまし

22 nm 以細対応マルチゲートFinFETデバイス技術

昌原　明植 

Vol.95 No.11pp.965-968

発行日:2012/11/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:特集　世界的な競争領域にある最先端デバイス技術

専門分野:

キーワード:
FinFET, MOSFET, 立体チャネル, マルチゲート, 

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あらまし:
22 nm 技術世代以細の集積回路における最大の課題は，微細化に伴う待機時消費電力の増大と，顕在化する特性ばらつきをいかに抑え込むか，である．FinFET を代表とするマルチゲートトランジスタは，それら双方の課題を解決し得る素子として注目を浴びている．本稿では，マルチゲートFinFET の特徴，22 nm 以降の技術世代での実用に際しての課題とその解決策，更に，マルチゲートFinFETの新展開について論じる．

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