あらまし

高移動度チャネルトランジスタ技術の最新動向

高木　信一 竹中　充 

Vol.95 No.11pp.969-973

発行日:2012/11/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:特集　世界的な競争領域にある最先端デバイス技術

専門分野:

キーワード:
CMOS, Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体, Ge, チャネル, 移動度, 集積化, 

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あらまし:
Si CMOS の性能飽和をブレークスルーし，将来のロジック用LSI の更なる高性能化・低消費電力化を実現する技術として近年注目されている，高移動度チャネルトランジスタ技術，特にⅢ-Ⅴ族化合物半導体やGe をチャネルとするMOSFET技術について紹介する．Ⅲ-ⅤチャネルのSi 基板への貼合せ技術，メタルソース・ドレーン形成技術，MOS 界面制御技術などに関する最近の研究成果を紹介しながら，本テクノロジーの現状と課題について述べる．

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