Author Search Result：生駒俊明(17hit)

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Vol.86 No.11 pp.884-888  
5－1　情報・電気・電子分野の21世紀COE，審査の立場より
生駒俊明 
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Vol.79 No.10 pp.1036-1040  
量子効果デバイスは実現するか？
生駒俊明 横山直樹 
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Vol.77 No.3 pp.323-328  
物性材料デバイス研究者からみた電子情報通信学会
長谷川英機 荻野俊郎 生駒俊明 
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Vol.74 No.8 pp.870-874  
産と学との新しい関係を考える
生駒俊明 森泉豊栄 三杉隆彦 渡辺誠一 
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Vol.70 No.1 pp.62-62  
High Speed Electronics-Basic Physical Phenomena and Device Principles
生駒俊明 
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Vol.64 No.3 pp.279-286  
半導体中の深い不純物準位の性質とその測定［完］－3．Si，GaAs，GaP中の不純物準位とデバイス特性－
生駒俊明 奥村次徳 
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Vol.64 No.2 pp.220-220  
1980　International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds
生駒俊明 
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Vol.64 No.2 pp.195-202  
半導体中の深い不純物準位の性質とその測定－2．深い不純物準位の動的パラメータの測定法－
生駒俊明 奥村次徳 
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Vol.64 No.1 pp.59-66  
半導体中の深い不純物準位の性質とその測定－1．半導体中の深い不純物準位の電気的・光学的性質－
生駒俊明 奥村次徳 
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Vol.62 No.3 pp.339-340  
Device Research Conference
生駒俊明 奥村次徳 
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Vol.62 No.2 pp.237-238  
Electronic Material Conference
生駒俊明 奥村次徳 
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Vol.61 No.8 pp.864-873  
雑音［完]－3．半導体デバイスの雑音－
生駒俊明 
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Vol.58 No.3 pp.295-296  
第5回ひ化ガリウムと関連化合物に関する国際シンポジウム報告
生駒俊明 
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Vol.55 No.10 pp.1288-1294  
スウェーデン王立工科大学（海外だより）
生駒俊明 
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Vol.51 No.2 pp.177-182  
マイクロ波半導体発振素子〔II〕－IMPATTダイオード（電子なだれダイオード）の動作原理－
柳井久義 生駒俊明 大久保勝彦 
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Vol.51 No.1 pp.75-86  
マイクロ波半導体発振素子〔I〕－Gunn効果素子の動作原理－
柳井久義 生駒俊明 大久保勝彦 
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Vol.49 No.12 pp.2356-2359  
Gunn効果発振について
柳井久義 生駒俊明 
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Online ISSN:2188-2355